發(fā)布時(shí)間：2019/9/25 17:16:42
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2019-05-31 來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
汽車制造商越來越多地開發(fā)電動(dòng)汽車（EV），但他們的短距離駕駛范圍仍然存在問題。雖然空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)，更輕的材料和更高效的電力使用確實(shí)有幫助，但這還不夠。汽車電力電子設(shè)計(jì)人員需要使用先進(jìn)的寬帶隙半導(dǎo)體（WBG）材料來滿足效率和功率密度要求。
這些材料主要由氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）組成，是對(duì)硅（Si）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)。更低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的工作溫度，惡劣環(huán)境下的堅(jiān)固性以及高擊穿電壓。它們特別有用，因?yàn)樵撔袠I(yè)正朝著更高容量的電池發(fā)展，這些電池在高電壓下工作，充電時(shí)間更短，總體損耗更低。
WBG半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)
通過回顧，帶隙是將電子從材料的價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量，WBG材料的帶隙明顯大于硅的帶隙（圖1）。而Si的帶隙為1.1電子伏特（eV）; SiC具有3.3eV的帶隙，GaN具有3.4eV的帶隙。
圖1：Si半導(dǎo)體在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的帶隙比SiC和GaN窄，因此后兩者的名稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”。（圖片來源：STMicroelectronics）
WBG半導(dǎo)體允許器件在比傳統(tǒng)硅更高的電壓，頻率和溫度下工作。更重要的是，開關(guān)和傳導(dǎo)損耗更低。WB的材料具有比Si大約十倍的導(dǎo)通和開關(guān)特性。這些能力使WBG技術(shù)成為電力電子產(chǎn)品的天然尺寸，尤其適用于電動(dòng)汽車，因?yàn)?/font>SiC和GaN元件可以做得更小，操作更快，效率更高。
WBG設(shè)備的優(yōu)勢(shì)必須與制造復(fù)雜性和大批量生產(chǎn)的更高成本相平衡。雖然WBG組件最初可能更昂貴，但其成本繼續(xù)下降，并且一般而言，它們將實(shí)現(xiàn)整體系統(tǒng)成本節(jié)省。例如，在EV中使用SiC器件可能會(huì)增加數(shù)百美元的額外前期成本，但由于電池成本降低，空間需求降低以及更小的散熱器或?qū)α骼鋮s等更簡(jiǎn)單的冷卻措施，可以節(jié)省總體成本。
SiC用于主逆變器
牽引逆變器控制EV中的牽引電動(dòng)機(jī)，是可以受益于WBG部件的關(guān)鍵EV系統(tǒng)的示例。逆變器的核心功能是將直流電壓轉(zhuǎn)換為三相交流波形，以驅(qū)動(dòng)EV的電機(jī)，然后將再生制動(dòng)產(chǎn)生的交流電壓轉(zhuǎn)換回直流電壓，為電池充電。由于逆變器將存儲(chǔ)在電池組中的能量轉(zhuǎn)換為AC以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，因此能量轉(zhuǎn)換中的損失越低，系統(tǒng)越有效。與硅相比，SiC器件的增強(qiáng)的導(dǎo)電性和更快的開關(guān)頻率降低了功率損耗，因?yàn)樽鳛闊崃繐p失的能量更少。最終，基于SiC的逆變器的更高效率將顯示為更高的EV里程。
處理大電流的電源模塊通常是IGBT類型，將Si IGBT與Si快速恢復(fù)二極管（FRD）相結(jié)合，這是汽車逆變器模塊中常用的配置。然而，與Si IGBT現(xiàn)有器件相比，SiC提供更高的工作溫度和更高的開關(guān)速度。這些功能對(duì)于牽引逆變器而言是最佳選擇，因?yàn)樗鼈冃枰獙⒋罅磕芰總鬏數(shù)诫姵睾蛷碾姵貍鬏敗?/font>
原因如下：由于IGBT是開關(guān)元件，其開關(guān)速度（導(dǎo)通時(shí)間，關(guān)斷時(shí)間）是影響效率（損耗）的關(guān)鍵參數(shù)之一。對(duì)于IGBT，在開關(guān)性能的代價(jià)下實(shí)現(xiàn)了高擊穿電壓下的低電阻; 在器件關(guān)斷期間存在“耗散時(shí)間”，這會(huì)增加開關(guān)損耗。結(jié)果，IGBT具有相對(duì)低的效率。如果在逆變器模塊中使用MOSFET代替IGBT，則可以實(shí)現(xiàn)更高的效率，因?yàn)樗鼈兙哂懈痰年P(guān)斷時(shí)間和更高的工作頻率。然而，Si MOSFET也存在問題; 與Si IGBT相比，它們具有較大的“導(dǎo)通”電阻。
利用SiC的有利特性，與IGBT相比，芯片面積幾乎減小一半的SiC MOSFET可以結(jié)合電源開關(guān)的四個(gè)理想特性：
l 高壓
l 阻力低
l 切換速度快
l 低開關(guān)損耗（特別是關(guān)斷損耗）
更寬的帶隙還意味著SiC器件通常可以在150°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作，并且在正確封裝時(shí)，200°C或更高。
作為SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），在SiC SBD中，形成與SiC半導(dǎo)體的金屬結(jié)以獲得肖特基勢(shì)壘。但與硅FRD不同，它們的優(yōu)勢(shì)在寬電流和工作溫度范圍內(nèi)不會(huì)發(fā)生顯著變化。SiC部件的介電擊穿場(chǎng)也比硅高出十倍。因此，目前正在大規(guī)模生產(chǎn)額定電壓為1200伏的SiC產(chǎn)品，因此成本相應(yīng)下降。此外，額定電壓為1700伏的產(chǎn)品正在開發(fā)中。
SiC二極管也不會(huì)顯示正向和反向恢復(fù)損耗，只是少量的容量電荷損耗。研究表明，采用SiC SBD的開關(guān)損耗比Si快恢復(fù)二極管低90％，其中結(jié)溫會(huì)影響恢復(fù)電流和恢復(fù)時(shí)間。結(jié)果，與Si二極管相比，SiC二極管產(chǎn)生相當(dāng)?shù)偷钠焚|(zhì)因數(shù)（FoM）（Qc×Vf）。較低的FOM意味著較低的功率損耗，因此具有更好的電氣性。
碳化硅材料存在一些缺點(diǎn)。其中一個(gè)是正熱系數(shù)，意味著溫度越高，正向電壓（Vf）越高。如果通過二極管的電流增加，則正向壓降也會(huì)增加。當(dāng)向二極管施加較高電流時(shí)，這種傳導(dǎo)損耗會(huì)導(dǎo)致熱失控。
然而，SiC MOSFET和SBD結(jié)合在一起，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠提高效率，降低散熱器的尺寸和成本，提高開關(guān)頻率以減小磁性元件的尺寸，并縮小最終設(shè)計(jì)的成本，尺寸和重量。使用SiC的EV逆變器可以比Si基等效物小5倍，輕3倍，功率損耗低50％。
例如，ROHM Semiconductor開發(fā)了BSM300D12P2E001半橋SiC功率模塊，將SiC MOSFET與SiC SBD集成在一個(gè)封裝中，最大限度地降低了先前由IGBT尾電流和FRD恢復(fù)損耗引起的開關(guān)損耗（圖2）。
圖2：IGBT模塊相比，集成SiC MOSFET和SBD的全SiC功率模塊可實(shí)現(xiàn)更低的損耗，即使在高速開關(guān)操作期間也是如此。（圖片來源：ROHM Semiconductor）
與IGBT相比，ROHM Semiconductor的SiC基MOSFET具有73％的規(guī)定損耗降低。它們的MOSFET系列可以處理高達(dá)1700伏的電壓，導(dǎo)通電阻范圍為45毫歐（mΩ）至1150mΩ。它們采用TO-247N，TO-3PFM，TO-268-L和TO-220封裝。
ROHM還生產(chǎn)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí) SiC肖特基勢(shì)壘二極管，具有恢復(fù)時(shí)間短，高速開關(guān)能力，低溫度依賴性，低正向電壓以及在6至20安培電流下可處理高達(dá)650伏特的能力（一個(gè)）。
SiC器件在電動(dòng)汽車中的作用
特斯拉是第一家為其主逆變器集成全SiC功率模塊的電動(dòng)汽車制造商，在特斯拉3型轎車中也是如此。特斯拉以前的車型，S型和X型，采用TO-247封裝的IGBT。與意法半導(dǎo)體合作，特斯拉逆變器由組裝在散熱器上的SiC功率模塊組成。1與STMicroelectronics的SCT10N120一樣，MOSFET的額定電壓為650伏，并使用銅基板進(jìn)行散熱。
用于EV的充電裝置在工廠安裝，稱為“車載充電器”（OBC）。在EV或插電式混合動(dòng)力EV（PHEV）中，OBC提供了在家中或從私人或公共充電站中的插座為AC電源充電的方法。OBC使用AC / DC轉(zhuǎn)換器將50/60赫茲（Hz）交流電壓（100至240伏）轉(zhuǎn)換為直流電壓，為高壓牽引電池充電（通常約為400伏直流電）。它還根據(jù)電池要求調(diào)整直流電平，提供電流隔離，并包括交流/直流功率因數(shù)校正（PFC）（圖3）。
圖3：在典型的EV OBC中，SiC二極管可用于例如PFC級(jí)作為升壓二極管或與圖騰柱拓?fù)渲械?/font>N溝道IGBT并聯(lián)。（圖片來源：英飛凌科技）
GaN獲得效率的牽引力
OBC的設(shè)計(jì)要求是具有最高的效率和可靠性，以確保快速充電時(shí)間，同時(shí)滿足EV制造商有限的空間和重量要求。使用GaN技術(shù)的OBC設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化EV冷卻系統(tǒng)并減少充電時(shí)間和功率損耗。商用GaN功率器件在汽車市場(chǎng)份額方面落后于SiC，但它們表現(xiàn)出令人印象深刻的性能并且正在迅速獲得牽引力。與SiC器件一樣，GaN器件具有更低的開關(guān)損耗，更快的開關(guān)速度，更高的功率密度，并可實(shí)現(xiàn)整體系統(tǒng)尺寸，重量和成本降低。
例如，Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽車級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的GaN FET，在鑒定測(cè)試期間的溫度高達(dá)175°C（圖4）。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，典型導(dǎo)通電阻為35mΩ。與其前代產(chǎn)品49mΩGenII TPH3205WSBQA一樣，該器件適用于插入式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車和電池電動(dòng)汽車的AC / DC OBC，DC / DC轉(zhuǎn)換器和DC / AC逆變器系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)交流/直流無橋圖騰柱PFC設(shè)計(jì)。
Transphorm TPH3205WSBQA 650伏，49mΩGaiFET
圖4：Transphorm TPH3205WSBQA 650伏，49mΩGaNFET符合汽車標(biāo)準(zhǔn)，已通過汽車級(jí)分立半導(dǎo)體的AEC-Q101壓力測(cè)試。（圖片來源：Transphorm）
雖然典型的Si MOSFET具有50伏/納秒（ns）的最大dV / dt額定值，但TP65H035WS GaN FET將以100伏/秒或更高的dV / dt切換，以實(shí)現(xiàn)盡可能低的開關(guān)損耗。在這種操作水平下，即使布局也會(huì)成為性能的重要因素。推薦的布局保持最小的柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路，并保持開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的走線非常短，最短的實(shí)際返回走線到電源總線和地。電源接地平面提供了大的橫截面積，以在整個(gè)電路中實(shí)現(xiàn)均勻的地電位。布局小心地將電源地和IC（小信號(hào)）接地分開，僅將它們連接到FET的源極引腳，以避免任何可能的接地回路。
英飛凌的AIDW20S65C5XKSA1是該公司第五代CoolSiC汽車肖特基二極管的一部分，也是混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車中OBC應(yīng)用的開發(fā)，是該公司IGBT和CoolMOS產(chǎn)品系列的補(bǔ)充，可滿足650伏級(jí)汽車應(yīng)用的要求。
得益于新的鈍化層概念，這是市場(chǎng)上最耐用的汽車設(shè)備之一，具有耐濕性和耐腐蝕性。由于它基于110微米（μm）薄晶圓技術(shù)，因此它也展示了同類產(chǎn)品中最好的FOM之一，這意味著更低的功率損耗，從而提高電氣性能。
與傳統(tǒng)的Si FRD相比，英飛凌CoolSiC汽車肖特基二極管可在所有負(fù)載條件下將OBC的效率提高一個(gè)百分點(diǎn)。
使用SiC和GaN器件
除了前面提到的精心布局外，SiC部件的一個(gè)潛在問題是它們的驅(qū)動(dòng)要求，這與IGBT器件非常不同。雖然大多數(shù)晶體管通常具有使用對(duì)稱軌道（例如±5伏）的驅(qū)動(dòng)要求，但SiC器件需要較小的負(fù)電壓以確保它們完全關(guān)閉，因此它們需要不對(duì)稱的軌道（例如-1伏至-20）伏）。
此外，雖然SiC具有優(yōu)異的熱性能并且與硅相比能夠傳導(dǎo)大量的熱能，但是SiC部件可以使用設(shè)計(jì)并用于Si的封裝來容納，例如芯片鍵合和引線鍵合。雖然這種封裝方法可以很好地與SiC配合使用，但它僅適用于低頻電路（幾十kHz）。一旦使用高頻，寄生電容和電感就會(huì)變得太大，從而阻止了基于SiC的器件實(shí)現(xiàn)其全部潛力。
同樣，要充分利用GaN器件，封裝必須具有極低的寄生電感和高熱性能。新的封裝方法，例如在類似于多層印刷電路板的封裝中嵌入芯片，以低成本實(shí)現(xiàn)了所需的性能，同時(shí)還消除了導(dǎo)致其自身器件可靠性問題的引線鍵合。
作為控制器和功率器件之間接口的關(guān)鍵元件是柵極驅(qū)動(dòng)器。對(duì)于采用新器件的電子設(shè)計(jì)人員來說，柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)始終是一個(gè)問題，因此了解如何驅(qū)動(dòng)SiC和GaN功率器件非常重要。要求是：
l 高電源電壓，通過低傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)高效率
l 高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗
l 快速短路保護(hù)
l 較小的傳播延遲和變化，實(shí)現(xiàn)高效率和快速系統(tǒng)控制
l 高dv / dt免疫力
一些早期的GaN器件需要特殊的驅(qū)動(dòng)器來防止柵極過壓。現(xiàn)在可以使用具有寬Vg容差的新一代E-HEMT，只需改變柵極電壓，就可以通過許多標(biāo)準(zhǔn)MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。GaN FET是橫向器件，因此需要相對(duì)低的最佳驅(qū)動(dòng)電壓。因此，總體而言，GaN器件對(duì)Si MOSFET和IGBT具有類似的柵極驅(qū)動(dòng)要求。要求包括：
l 較小的柵極電荷 - 較低的驅(qū)動(dòng)損耗，較快的上升和下降時(shí)間
l 降低柵極電壓
l 負(fù)電壓可提高柵極驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)健性
l 使用柵極電阻控制壓擺率
好處是許多SiC和GaN解決方案供應(yīng)商都在包裝內(nèi)部添加了額外的電子元件，因此它們可以直接替代當(dāng)前的設(shè)計(jì)。
結(jié)論
為了滿足逆變器和車載充電器等EV系統(tǒng)的效率和功率密度要求，汽車電力電子設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在能夠利用更先進(jìn)的WBG半導(dǎo)體，如SiC和GaN。與傳統(tǒng)的硅器件相比，它們具有更低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的工作溫度，惡劣環(huán)境下的穩(wěn)健性以及高擊穿電壓。
GaN和SiC可以在更高的溫度下工作，具有相似的預(yù)期壽命，或者可以在與具有更長(zhǎng)壽命的Si器件相似的溫度下工作。這為設(shè)計(jì)工程師提供了不同的設(shè)計(jì)路徑，具體取決于應(yīng)用要求。
使用WBG材料還允許設(shè)計(jì)人員從多種策略中進(jìn)行選擇以適應(yīng)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)：使用相同的開關(guān)頻率并增加輸出功率; 使用相同的開關(guān)頻率，減少系統(tǒng)所需的散熱量，節(jié)省總成本; 或者增加開關(guān)頻率，同時(shí)保持開關(guān)中相同的功率損耗。
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