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           浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司成立于2012年,公司采用國際領(lǐng)先的光學(xué)、半導(dǎo)體制備工藝技術(shù),利用先進(jìn)的新型半導(dǎo)體材料加工設(shè)備,致力于GaN基LED芯片(圖形化)襯底、第三代半導(dǎo)體材料碳化硅、MEMS智能傳感器的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,在LED芯片(圖形化)襯底領(lǐng)域已發(fā)展成為國內(nèi)排名前三的市場規(guī)模和行業(yè)地位。經(jīng)過多年穩(wěn)健發(fā)展,公司形成了以金華為集團(tuán)總部,下設(shè)金華博藍(lán)特新材料有限公司、浙江富芯微電子科技有限公司、金華富芯微納電子科技有限公司、黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司、博藍(lán)特(蘇州)微電子技術(shù)有限公司、廈門立芯元奧微電子科技有限公司、博藍(lán)特半導(dǎo)體(深圳)有限公司等多家子公司,業(yè)務(wù)范圍遍布海內(nèi)外。公司擁有省級院士專家工作站、省級企業(yè)研究院、省級高新技術(shù)企業(yè)研發(fā)中心、省級企業(yè)技術(shù)中心等研發(fā)平臺,并與中南大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)、中科院物理所等科研院校合作,共同致力于科技成果產(chǎn)業(yè)化。公司相繼主持多項(xiàng)省市級重大科技研發(fā)項(xiàng)目,榮獲中國輕工業(yè)聯(lián)合會科學(xué)技術(shù)一等獎、省科技進(jìn)步一等獎、省技術(shù)發(fā)明三等獎、省科技成果獎、省級制造精品、省級專精特新企業(yè)、省級綠色工廠、省級節(jié)水標(biāo)桿企業(yè)、連續(xù)三年納稅超千萬、市優(yōu)秀企業(yè)(金星獎)、市級專利示范企業(yè)、開發(fā)區(qū)工業(yè)十強(qiáng)企業(yè)、經(jīng)濟(jì)密度十強(qiáng)企業(yè)、開發(fā)區(qū)政府質(zhì)量獎。主持并參與國際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定6項(xiàng),主持制定浙江制造標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng),并通過產(chǎn)品品質(zhì)標(biāo)認(rèn)證。申報(bào)核心專利100余項(xiàng)。公司持續(xù)以領(lǐng)先的技術(shù)水平、雄厚的研發(fā)實(shí)力和卓越的管理理念為基礎(chǔ),秉承“持續(xù)滿足客戶需求,為客戶創(chuàng)造獨(dú)特價(jià)值”的經(jīng)營理念,以創(chuàng)新為核心,推動企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,力爭成為全球領(lǐng)先的新型半導(dǎo)體材料及器件供應(yīng)商。

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    公司采用國際先進(jìn)的半導(dǎo)體加工技術(shù)及先進(jìn)的硬脆材料加工設(shè)備,致力于藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底及圖形化藍(lán)寶石襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

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    浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司成立于2012年10月,總部坐落于國家級經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)浙江省金華市。

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第三代半導(dǎo)體材料市場高速增長 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有望加速

發(fā)布時(shí)間:2019/9/25 17:17:55 瀏覽次數(shù):1023
                                                                          2019-05-21  來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟  

日前,《2019年中國第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)演進(jìn)及投資價(jià)值研究》白皮書在2019世界半導(dǎo)體大會期間發(fā)布。

2018年,在5G、新能源汽車、綠色照明等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展以及政策大力扶持的雙重驅(qū)動力下,我國第三代半導(dǎo)體材料市場繼續(xù)保持高速增長,總體市場規(guī)模已達(dá)到5.97億元,同比增長47.3%

預(yù)計(jì)未來三年中國第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模仍將保持20%以上的平均增長速度,到2021年將達(dá)到11.9億元。

第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能和能帶結(jié)構(gòu),廣泛于射頻器件、光電器件、功率器件等制造,目前已逐漸滲透5G通信和新能源汽車等新興領(lǐng)域市場,被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。

目前,全球70-80%的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅產(chǎn)量來自美國。中美貿(mào)易摩擦持續(xù)發(fā)酵背景下,第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程望加速。

 

區(qū)域分布

 

我國第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展已初具規(guī)模,主要集中在京津冀、長三角、珠三角、閩三角和中部地區(qū)。

京津冀地區(qū):研發(fā)實(shí)力全國最強(qiáng),并且具有較強(qiáng)的SiC研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ);

長三角地區(qū):主要以GaN材料為主,側(cè)重電力電子和微波射頻領(lǐng)域,其中上海、江蘇等地已將第三代半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展方向之一;

珠三角地區(qū):在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域全國領(lǐng)先,是我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的南方基地,擁有“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”;

閩三角地區(qū):擁有以三安光電為代表的第三代半導(dǎo)體龍頭企業(yè),有效帶動了上游材料企業(yè)的發(fā)展;

中部地區(qū):科研實(shí)力、軍工應(yīng)用雄厚,已經(jīng)涌現(xiàn)出一批第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)。

  

預(yù)計(jì)未來三年中國第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模仍將保持20%以上的平均增長速度,到2021年將達(dá)到11.9億元。

 

第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展三大趨勢

 

一是技術(shù)趨勢:大尺寸和高質(zhì)量SiC生長技術(shù)是未來發(fā)展的趨勢、同質(zhì)外延依然是GaN器件的技術(shù)改進(jìn)方向,所以高質(zhì)量GaN襯底的技術(shù)研發(fā)還將繼續(xù);

二是應(yīng)用趨勢:半導(dǎo)體照明、激光器和探測器、軍事領(lǐng)域以及5G及新能源汽車代表的新興領(lǐng)域?qū)⒊蔀槲磥淼谌雽?dǎo)體材料主要的應(yīng)用領(lǐng)域;

三是價(jià)格及成本趨勢:未來6英寸SiC襯底預(yù)計(jì)將降至5000/片以下、GaN襯底價(jià)格有望降至500美元/片左右,并且隨著襯底和外延片尺寸的增加和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大,襯底和外延片的成本將有所下降,毛利率會更高。

目前,全球70-80%的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅產(chǎn)量來自美國。中美貿(mào)易摩擦持續(xù)發(fā)酵背景下,第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程望加速。

 

延伸閱讀:

2019世界半導(dǎo)體大會觀點(diǎn)盤點(diǎn)(部分)

 

全球化帶來半導(dǎo)體行業(yè)前進(jìn)

 

在大會開幕式暨高峰論壇上,美國信息產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)(USITO)總裁Christopher Millward出席并發(fā)表講話。Christopher Millward表示,中國是全球增速最大的半導(dǎo)體市場,過去十年,中國半導(dǎo)體市場的年復(fù)合增長率在13%左右,是很大的一個(gè)進(jìn)口商,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈非常重要的一部分,中國不僅僅是純粹的半導(dǎo)體進(jìn)口國或者消費(fèi)國,它還是創(chuàng)新國、開發(fā)國。

全球半導(dǎo)體行業(yè)之所以成功,正是因?yàn)樗且粋€(gè)全球化的行業(yè),政策的創(chuàng)新、市場的開放以及知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù),帶來了全球半導(dǎo)體行業(yè)如今的發(fā)展。他表示:通過美國SIA(半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)大家可以看到,我們非常支持全球化的發(fā)展,而不是國民化的發(fā)展。在當(dāng)今世界中,尤其是在技術(shù)世界,沒有一個(gè)公司,沒有一個(gè)國家,可以完全自己閉門造車,我們需要非常多的、全球的資本和支持來實(shí)現(xiàn)。

未來半導(dǎo)體發(fā)展趨勢

 

近年來半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,摩爾定律受到挑戰(zhàn),未來的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展方向如何,會不會繼續(xù)遵守摩爾定律,也成為備受關(guān)注的話題。臺積電(中國)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球演講中表示,對于未來半導(dǎo)體發(fā)展方向,臺積電指出出三大趨勢:

①邏輯器件微縮繼續(xù)延申。從2000到現(xiàn)在,產(chǎn)品在不斷的微縮,不斷遇到困難,同時(shí)也在不斷發(fā)現(xiàn)新的材料,不斷產(chǎn)生新的技術(shù)。材料、器件、光刻三大技術(shù)難點(diǎn)不斷突破。

②先進(jìn)工藝、特殊工藝全面推進(jìn)。在這些新興技術(shù)的帶動之下,對于特殊芯片的需求也越來越高,未來半導(dǎo)體行業(yè)特殊工藝芯片將處于增長狀態(tài)。

③多種工藝異構(gòu)集成。在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域,有各種各樣的工藝,不可能用一種工藝完成所有的需求,近年來出現(xiàn)一種異構(gòu)趨勢,將不同工藝的芯片集中。

 

投資市場周期先抑后揚(yáng)發(fā)展可期

 

電子行業(yè)首席分析師鄭震湘在半導(dǎo)體大會平行論壇“全球半導(dǎo)體市場與應(yīng)用趨勢論壇”發(fā)表演講時(shí)稱,“這份報(bào)告昨天臨時(shí)改了很多,確實(shí)昨天華為事件導(dǎo)致我們對全球的判斷需要微調(diào),整個(gè)行業(yè)需求可能要往后遞延一個(gè)季度。”

他表示,國盛證券對全半導(dǎo)體周期的判斷是,今年基本面呈現(xiàn)先抑后揚(yáng),中美關(guān)系擾動使得行業(yè)進(jìn)入觀察期,行業(yè)在二季度觸底,但三季度會反轉(zhuǎn)。談到華為事件,鄭震湘也發(fā)表了自己的觀點(diǎn),稱形勢嚴(yán)峻但也不必太悲觀,“今天華為采購部的人都在加班,所有A股(涉半導(dǎo)體)上市公司今天都在深圳(與華為洽談合作)。”

他繼而詳細(xì)表示,華為事件是美方對談判的極限施壓,華為在沒有任何證據(jù)情況下被列入名單,超越商業(yè)和法律范疇;此外,華為也一直在為此準(zhǔn)備,多年發(fā)展“備胎”,即使最悲觀事情發(fā)生,華為還是能夠正常運(yùn)行。華為兩方面準(zhǔn)備,一方面從去年開始加大庫存?zhèn)湄?,另一方面加大國產(chǎn)化及非A(即美國)供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)移,C(即中國)板產(chǎn)品在各產(chǎn)品線已經(jīng)出貨。

總體來看,半導(dǎo)體具有長期投資價(jià)值,從下游需求來看,未來的5GAI、IoT、自動駕駛等新興領(lǐng)域都需要半導(dǎo)體的支持,將給半導(dǎo)體行業(yè)帶來大量新增需求,但是投資時(shí)點(diǎn)還需等待基本面改善。

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