發(fā)布時(shí)間：2019/9/25 17:18:45
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2019-05-15 來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
據(jù)外媒報(bào)道，在2019年歐洲PCIM電力電子貿(mào)易展上，安森美半導(dǎo)體公司展示新款基于碳化硅(SiC)的混合IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，以及隔離高電流IGBT門驅(qū)動(dòng)器。這些產(chǎn)品采用硅基IGBT，結(jié)合SiC肖特基二極管技術(shù)，充分利用SiC技術(shù)的效率優(yōu)勢和硅的成本優(yōu)勢。
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止式IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，在多種電力應(yīng)用中，降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，包括那些將受益于反向恢復(fù)損耗減少的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和變流器。硅基解決方案性能較低，完全基于SiC的解決方案成本又較高，該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管聯(lián)合封裝，在性能和成本之間實(shí)現(xiàn)良好平衡。它的額定工作電壓為650V，能處理高達(dá)100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的連續(xù)電流，以及高達(dá)200 A的脈沖電流。對于需要更大電流能力的系統(tǒng)，正溫度系數(shù)讓并行操作變得簡單易行。
現(xiàn)代電動(dòng)汽車不僅依靠能源行駛，在某些情況下，還可以儲(chǔ)存能源，在高峰時(shí)間為家庭供電。因此，需要一個(gè)雙向充電器，能夠高效率開關(guān)充電，確保能源在傳輸過程中不致浪費(fèi)。在此類用例中，帶有外部SiC二極管的IGBT，比MOSFET解決方案更加有效，因?yàn)闆]有正向或反向復(fù)置損失。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的結(jié)溫下工作，適用于要求非常嚴(yán)格的電力應(yīng)用，包括汽車在內(nèi)。另外，它完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車車載充電器。
除了新款混合IGBT，安森美半導(dǎo)體還將在PCIM上發(fā)布一系列隔離高電流IGBT驅(qū)動(dòng)器。NCD(V)57000系列針對多種電力應(yīng)用，包括太陽能變流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷供電系統(tǒng)(UPS)和汽車應(yīng)用，如動(dòng)力系統(tǒng)和PTC加熱器。
NCD(V)57000系列是高電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器，采用內(nèi)部電流安全隔離設(shè)計(jì)，可在要求高的電力應(yīng)用中高效運(yùn)行。該器件具有互補(bǔ)輸入、開路漏極故障和就緒輸出、有源米勒箝位、精準(zhǔn)欠壓鎖定、軟關(guān)斷去飽和DESAT保護(hù)、負(fù)門極電壓引腳和獨(dú)立高低驅(qū)動(dòng)器輸出，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性。它的額定電流隔離值大于5 kVrms，符合UL1577標(biāo)準(zhǔn);工作電壓高于1200V;保證8mm爬電距離(輸入>輸出)，可滿足強(qiáng)化安全隔離要求。NCD(V)57000可產(chǎn)生7.8A驅(qū)動(dòng)電流和7.1A汲電流，超過若干競品的三倍。更重要的是，在開關(guān)波形中的米勒高原運(yùn)行時(shí)，電流能力更強(qiáng)。加上領(lǐng)先的保護(hù)功能，堪稱為一流的IGBT驅(qū)動(dòng)器。
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