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           浙江博藍特半導體科技股份有限公司成立于2012年,公司采用國際領先的光學、半導體制備工藝技術,利用先進的新型半導體材料加工設備,致力于GaN基LED芯片(圖形化)襯底、第三代半導體材料碳化硅、MEMS智能傳感器的研發及產業化,在LED芯片(圖形化)襯底領域已發展成為國內排名前三的市場規模和行業地位。經過多年穩健發展,公司形成了以金華為集團總部,下設金華博藍特新材料有限公司、浙江富芯微電子科技有限公司、金華富芯微納電子科技有限公司、黃山博藍特半導體科技有限公司、博藍特(蘇州)微電子技術有限公司、廈門立芯元奧微電子科技有限公司、博藍特半導體(深圳)有限公司等多家子公司,業務范圍遍布海內外。公司擁有省級院士專家工作站、省級企業研究院、省級高新技術企業研發中心、省級企業技術中心等研發平臺,并與中南大學、合肥工業大學、中科院物理所等科研院校合作,共同致力于科技成果產業化。公司相繼主持多項省市級重大科技研發項目,榮獲中國輕工業聯合會科學技術一等獎、省科技進步一等獎、省技術發明三等獎、省科技成果獎、省級制造精品、省級專精特新企業、省級綠色工廠、省級節水標桿企業、連續三年納稅超千萬、市優秀企業(金星獎)、市級專利示范企業、開發區工業十強企業、經濟密度十強企業、開發區政府質量獎。主持并參與國際行業標準制定6項,主持制定浙江制造標準1項,并通過產品品質標認證。申報核心專利100余項。公司持續以領先的技術水平、雄厚的研發實力和卓越的管理理念為基礎,秉承“持續滿足客戶需求,為客戶創造獨特價值”的經營理念,以創新為核心,推動企業高質量發展,力爭成為全球領先的新型半導體材料及器件供應商。

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    浙江博藍特半導體科技股份有限公司成立于2012年10月,總部坐落于國家級經濟開發區浙江省金華市。

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基于硅基光電子技術的800G可插拔光模塊技術演進

發布時間:2024/3/3 11:08:51 瀏覽次數:361

摘要
 

超大規模數據中心帶寬需求的增加正推動著800G可插拔光模塊的發展。新一代的可插拔模塊將利用更高的波特率、標準化協議和先進的集成以實現在小型形式因子下進行800G傳輸。支持800GbE、多種客戶速率、互操作模式和低功耗等關鍵功能將加速其商業化。憑借成熟的硅基光電子技術和三維封裝技術800G可插拔模塊有望在2024年實現大規模部署。


 

導言

數據中心流量持續增長正在推動著更高容量和更高效的光互連技術的發展。60G波特信號速率的400G可插拔模塊在過去幾年中已成功部署但目前關注點正在轉向新一代800G可插拔模塊。


預計超大規模數據中心將引領向800G可插拔模塊的轉變對下一代交換機和路由平臺提出了800G端口的需求。與400G時代類似標準化組織正在推動參數的統一以確保多供應商間的互操作性和規模經濟。這包括將波特率提高一倍至約120G波特并將信道間距增加至150GHz。


 

硅基光電子技術、三維集成和混合信號電子技術等先進技術實現了800G操作所需的更高波特率和調制方案。在硅基400G可插拔模塊和性能優化模塊獲得證實的基礎上這些技術現可應用于開發像QSFP-DD和OSFP等小型形式因子的800G可插拔模塊。


 

支持800GbE、多種低速率客戶、互操作模式、高發射功率產品和低功耗等關鍵功能將推動其在各類網絡中的應用。隨著技術和標準化的統一800G可插拔模塊有望在2024年左右實現大規模部署。


 

800G光學標準的整合

OIF、Open ROADM和IEEE等行業組織正在推動800G標準的統一以確保多供應商間的互操作性。這包括標準化800G光學參數、客戶端協議和模塊管理接口。


 

在光傳輸方面OIF正在定義800ZR這是一種互操作的800G相干DWDM解決方案通過使用約120 G波特信號速率和16QAM調制的3類光學實現80公里的放大鏈路傳輸[1]。Open ROADM還指定了增強性能模式包括用于提高光信噪比的概率星座整形PCS的互操作實現其操作波特率為130+ G波特。

 
 

在客戶端方面IEEE 802.3ck定義了100γ接口上的800GbE操作的物理層規范。OIF和Open ROADM還支持通過800G光鏈路對低速率客戶端如400GbE和100GbE進行分組復用。此外OIF對公共管理接口規范CMIS的實施協議確保了多供應商可插拔模塊之間的互操作管理。通過在光學、客戶端和管理參數方面的統一800G標準將產生類似400G的規模經濟效應同時確保多供應商間的互操作性。


支持800G可插拔模塊的先進技術

利用硅基光電子技術、三維集成和混合信號電子技術等先進技術對開發緊湊和高效的800G可插拔模塊很重要。


硅基光電子技術提供了可集成在硅基板上的高帶寬密度波分復用組件如調制器、波分復用器和光檢測器。這種技術可以以具成本效益和可擴展性的方式實現100G以上更高波特率的擴展。


 

三維集成或硅化技術如翻轉芯片焊接、堆疊芯片和高密度基板封裝能將光子學和CMOS電子技術進行緊密集成。這種集成可以在800G速率下提高信號完整性和功率效率。


 

新一代混合信號電子技術例如每通道112G的DAC和ADC性能提升以及新的DSP實現了800G光傳輸所需的高速信號和復雜調制方案。


這些技術已經在基于硅的400G可插拔模塊和Acacia的CIM相干模塊等性能優化模塊中得到驗證使其有望支持大規模800G可插拔模塊的開發。

 
 

800G可插拔模塊應用的關鍵功能

為實現成功的大規模應用800G可插拔模塊需要支持一些關鍵功能以滿足網絡應用和行業發展需求。一個主要功能是支持800GbE客戶端流量。據預計2024年將有800G交換機和路由器端口為互連這些平臺可插拔模塊需要具備本機800GbE功能。在網絡中400GbE和100GbE等低速率客戶端仍廣泛存在的過渡期內對它們的多路復用支持也非常關鍵。


 

互操作模式是另一個關鍵促成因素。800ZR將為相干DWDM鏈路提供基準模式。但是Open ROADM的PCS模式提供了更高的性能可達到與400G相當的覆蓋范圍。這種靈活性適合各種網絡拓撲和應用的需求。高發射功率產品對傳統的利用現有ROADM基礎設施的棕地網絡而言是必需的。內置放大器提供了這些鏈路所需的更高的Tx功率。


最后低功耗仍是一個優先事項。功率效率可以最大化800G交換機和路由器線卡的端口密度也可以實現與現有400G端口的向后兼容。優化設計的800G可插拔模塊將利用硅基光電子集成和CMOS工藝節點縮減的最新進展來降低功耗。

 
總結

行業趨勢顯示800G可插拔光模塊是數據中心互聯的下一步進化。通過技術發展和標準統一的結合800G可插拔光模塊有望在2024年左右實現大規模網絡部署。其出現將與新一代交換機和路由器的800G端口同步為數據中心運營商提供直接的容量提升。800G可插拔光模塊將借鑒400G光模塊應用中獲得的關鍵經驗和技術提供下一代光互連所需的功能和性能。


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